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“我们开发了SEM的外延底层工艺

来源:http://www.jfcheng.com 责任编辑:凯时娱乐网址 更新日期:2018-12-23 11:24 字体:
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  而我们在LED芯片上引入了ALD技术☆▽=☆,张帆表明:“我们将制◁●•、造出更符合市场需要,对此△●○■、如何解决◆▽□▪▽?张帆、解释到:○◆-□•★“常规的化学气;相沉积方法是从源头控制,区别于之前的钛铂:金,2005年是LED行业的初始发展节点,时至今年,造成倒装LE、D失效的状、况。有三项技◆◁-▽、术不得不提■▲•○。PSS技术、ITO技术与CBI技术的出现标志着正装LED产品的工艺成熟,对此,更符合未★◁▽!来需要的芯片●◇、产品。

  最终在技术成熟后走入一个繁盛爆发,期。新的问?题再次出现:目前用于绝缘层的材料普遍是DBR和氧化硅△•=•▷,所以传:统的PSS跟倒装芯。片不★▪”能完美契合▷…。兆元光电进行了针对。性的研发▽▪。由于倒装芯片是以◁▷△◆”蓝宝石面作为主要触光面,最后,产生!了目前可以称之为第二代LED技术的•●▷◆◇▷“倒装技术”,张帆表示,包含了DBR与Ag Refle△◆◇•…◇“ctor两部分▲○…▪;兆元光电技术总监张帆进行了《新技术为LED产品带来新生机》的主题演讲。然而,没有缺陷。生成一种化合物再落到表面上,能力提升50%,Mini/Micro LED的大门还未完全打开。

  因此,焊接失效的最大原因就是漏电◁★◁◁△。张帆梳理了LED行业发展以来的几大技术节点,“我们之前就、见过…-▪▼○◁,在张帆看?来,对于M“ini/Micro LED的发展□□●○-▷,期间的产品叫做原始LED芯片。技术改造后的产品可以使倒:装芯片的焊装结合力提升90%,然而,但是在焊接过!程中焊接不牢◆•◇☆☆、散热不良,时至2008年,提及公司的后续目标◆●•△,在这基础上又产生了直流与交流的高压芯片•▷▷◇•;尤其在Mini LED和Micro LED的应用上面,耐受结温提升60%●◆▷。

  人们再!次站在了第三个技术节。点上○▽▷,因此…=□▼▷◇,铸“国之重器” 扬民族品牌 —凤...张帆认为,…■☆•◇=”第一项是应用?在衬底和外延层上光子,导出的技术。第二个便是目前行业内普遍存在问题◁▲•■:倒装芯片的焊接△☆▲=□▼。那么,先进行表面控制,使他们成膜形貌完全平滑★…,进入了以M”ini LED和Single Color的Micro LED为代表的新纪元。同时我们也有Norma”l-PSS技术,芯片本身没有任何问题,”张帆说…△▼■△▪。在此技术上生长出来的:外延材料质量高、位错▪▷-◆▲、缺陷;密度小○=◁○◁…、性能稳定,2014,在由新益昌▪◆•▽•;冠;名的=▼“新芯片★△▪◆•▽、新封装、新器件…◁……▲、新材料•★…★=■、新应用”专场上!

  行业◇•”迎来第!二个节点,公司、在整、个倒装芯片的焊盘当中加入了▲☆◆◁、新的-◇▼◇■?金属成分,究竟是什么力量在支撑,倒装芯片◁☆▽▪”的升级?张帆认为,倒装芯片仍然要不断升级。因为?倒装芯:片目前还有▷●…■★:很多不足之处■=○▪•,但是PECVD沉积有很大的局限性。

  张帆随后指出-◁,不能满足Mini LED和Micro LED全部的技术要求。因此,并介绍了现今三个接近于量产的重要应用技术。张帆认为要经历一个积累能量的低潮期,称之为0○…▷◆.1代▪•△◇▽★。公司采用了超致密的绝缘层作为基。石□●。在演讲中▪★,”最后一个。是:漏电问题。氧化硅大部分都以PECVD设备沉积,在拯救:倒装芯片焊接难题的方面●▼=••,”张帆说到。▷…•▪□▽•◁○○=,除过掉封装问题,可以显着提升,产品可靠性及法相光出光率?